Samsung annonce le premier UFS 4.0 qui atteint 4200 Mo/s en lecture

by Sally

par David Publié le 04 mai 2022 à 17:35:00 email @geektopic News

Samsung annonce le premier UFS 4.0 qui atteint 4200 Mo/s en lecture

Samsung a annoncé le développement de la dernière version de Universal Flash Storage (UFS) approuvée par JEDEC. Cet UFS 4.0 promet d’apporter des vitesses encore plus élevées au secteur de la mobilité, le double de ce que l’actuel UFS 3.1 a. Il utilise la mémoire V-NAND de septième génération de la société dans un petit boîtier pouvant atteindre 11 mm × 13 mm × 1 mm.

La vitesse atteinte par cette mémoire UFS 4.0 est jusqu’à 4200 Mo/s en lecture séquentielle et jusqu’à 2800 Mo/s en écriture séquentielle, doublant les valeurs de la mémoire UFS 3.1. Il augmente également l’efficacité énergétique de 46%, consommant un peu moins que l’UFS 3.1 actuel mais avec des vitesses beaucoup plus élevées.

Cette mémoire n’est pas vraiment une nouveauté. Kioxia a annoncé ses puces UFS 4.0 en février sans dire qu’elles étaient 4.0 car la spécification n’avait pas encore été approuvée. Comme ça, il s’appuie sur l’interface physique MIPI M-PHY 5.0 avec deux canaux de 23,2 Gb/s chacun pour un maximum théorique de 5,8 Go/s, le plaçant dans le rayon d’action du stockage PCIe 4.0.

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TechPowerUp.

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